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摘要:
随着功率半导体器件特别是高压、大电流IGBT模块的快速发展和广泛应用,对封装材料中的陶瓷衬板提出了更高的要求,其中可靠性是其设计中最为关键的指标之一.活性金属钎焊工艺(AMB)制备的AlN陶瓷覆铜衬板因可靠性高而成为高压大功率IGBT模块封装中陶瓷衬板的首选.文章对比了AMB工艺和DBC工艺制备的A1N陶瓷覆铜衬板的剥离强度和热冲击性能,并提出了控制TiN层厚度、增加铜箔边缘小孔深度和增加铜箔侧蚀量3种方法来提升AMB工艺制备的A1N覆铜衬板的可靠性.结果表明,可靠性提升后的AlN覆铜衬板耐热冲击可达到1 300次、剥离强度达到18 N/mm、空洞率达到0,性能优于国外产品,满足高压大功率IGBT模块封装技术要求.
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文献信息
篇名 IGBT用氮化铝覆铜衬板可靠性研究
来源期刊 大功率变流技术 学科 工学
关键词 IGBT模块 AlN覆铜衬板 活性金属钎焊 可靠性
年,卷(期) 2017,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 55-59,69
页数 6页 分类号 TN304
字数 语种 中文
DOI 10.13889/j.issn.2095-3631.2017.05.009
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研究主题发展历程
节点文献
IGBT模块
AlN覆铜衬板
活性金属钎焊
可靠性
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控制与信息技术
双月刊
2096-5427
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大16开
湖南省株洲市
1978
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