晶体管厄利电压对功放电路静态电流影响实例分析

• 作者: 邱静君
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 功放电路 静态电流 电源电压 基区结深 厄利电压
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN306
• 字数: 1548字
• 语种: 中文

摘要

通过对某款功放电路的静态电流随电源电压增加而快速增大的实例,分析了晶体管厄利电压对静态电流变化的影响.通过对同款电路在不同工艺平台中测试结果的对比,分析了静态电流随电源电压变化过快的现象跟晶体管参数厄利电压的相关性,并分析了浅结工艺用于制造功放电路的缺点.分析结果表明通过优化或改变工艺条件(即增加基区结深),使晶体管厄利电压增大,可以解决该款功放电路静态电流随电源电压增大增速过快的问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱静君		3	1	1.0	1.0