AlGaInAs多量子阱材料增益偏振相关性分析

• 作者: 何平安 余文林 孙然 缪庆元
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInAs多量子阱 增益 低偏振相关 温度
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 光纤与光通信
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文

摘要

考虑光场限制因子、温度变化和阱间载流子非均匀分布,给出AlGaInAs多量子阱增益求解的分析模型.对量子阱应变量、阱宽和载流子浓度对材料增益TE模和TM模的影响进行了分析.设计出C波段内增益低偏振相关的混合应变多量子阱结构.在15～45℃温度范围,其模式增益具有低的偏振相关性(2％以内);当注入载流子浓度从2×1024 m-3增大到3×1024 m-3时,模式增益逐渐增大,且能在一定温度下保持低的偏振相关(3％以内).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何平安	武汉大学电子信息学院	44	302	10.0	16.0
2	孙然	武汉大学电子信息学院	4	19	1.0	4.0
3	缪庆元	武汉大学电子信息学院	7	2	1.0	1.0
4	余文林		1	0	0.0	0.0