一种降低光刻工艺中静电损伤的方法

• 作者: 刘春玲 沈今楷 王星杰
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 光刻 静电 工艺导致的损伤 等离子体
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 53-55
• 页数: 3页
• 分类号: TN405
• 字数: 1955字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2017.03.013

摘要

集成电路光刻工艺中,由于静电造成晶圆缺陷、电学失效或者低良率的情况时有发生o这是一种低成本的工艺方法(低功率等离子体轰击),释放积聚在晶圆表面的静电,主要研究了静电产生的机制、降低静电损伤的效果和内在机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘春玲		2	1	1.0	1.0
2	沈今楷		2	1	1.0	1.0
3	王星杰		2	1	1.0	1.0