大电流IGBT芯片的终端可靠性研究

• 作者: 孔梓玮 张中伟 王思亮 胡强 蒋兴莉 马克强
• 来源期刊: 东方电气评论
• 学科: 工学
• 关键词: 功率器件 终端技术 钝化工艺
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN323
• 字数: 2382字
• 语种: 中文

摘要

针对大电流IGBT的耐压可靠性问题,对平面结终端技术及表面钝化的设计与工艺匹配性进行了研究.设计了一款1 200 V IGBT用FLR+ FP混合终端,利用仿真软件研究了各结构参数对终端耐压的影响,将此终端用在1 200 V/100 AIGBT芯片上进行流片验证,并进一步研究钝化工艺对终端耐压及可靠性的影响.改良后的终端结构击穿电压可达1 460V,可靠性得到显著提高,且具有更强的抗污染能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张中伟		5	27	3.0	5.0
2	蒋兴莉		2	2	1.0	1.0
3	胡强		7	31	2.0	5.0
4	王思亮		6	19	2.0	4.0
5	马克强		1	2	1.0	1.0
6	孔梓玮		1	2	1.0	1.0