硅掺杂金刚石薄膜形成过程的研究

• 作者: 乔海懋 刘学杰
• 来源期刊: 内蒙古科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 第一性原理 迁移 吸附 Si掺杂金刚石膜
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 126-130
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|TQ164
• 字数: 2055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16559/j.cnki.2095-2295.2017.02.005

摘要

采用第一性原理计算和实验研究了Si掺杂金刚石薄膜的形成过程.运用第一性原理计算了Si粒子在具有活性位的氢终止金刚石(001)表面上的吸附能和迁移激活能.结果表明,Si粒子在该表面上吸附能和迁移激活能均为3.0-4.7eV.因此,Si粒子可以在氢终止金刚石表面活性位上吸附并形成稳定结构.采用微波等离子化学气相沉积方法制备了Si掺杂金刚石薄膜,电子扫描电镜检测验证了理论计算结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学杰	内蒙古科技大学机械工程学院	57	114	6.0	7.0
2	乔海懋	内蒙古科技大学机械工程学院	4	2	1.0	1.0