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摘要:
硼掺杂是改善金刚石薄膜电阻率的有效手段,被认为是将金刚石薄膜用于制备电化学电极的途径.本文通过CVD法在单晶硅片上制得掺硼金刚石薄膜(BDD),并采用四点探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对之进行检测,发现随着硼掺入量的增加,薄膜电阻率逐渐降低,重掺杂时可达2.0×10-3Ω·cm.同时金刚石薄膜的固有质量出现恶化,表现为金刚石晶粒的碎化以及拉曼观察到的薄膜内应力的增加和非金刚石峰的出现.对薄膜电极进行电化学测量发现BDD电极在酸性溶液中具有非常宽的电位窗口和高的阳极极化电位,且背景电流极低.
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文献信息
篇名 硼掺杂金刚石薄膜研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 工学
关键词 CVD 金刚石薄膜 掺硼 电位窗
年,卷(期) 2007,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 569-572
页数 4页 分类号 TB43
字数 2686字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2007.03.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吕反修 北京科技大学材料学院 151 1208 18.0 24.0
2 魏俊俊 北京科技大学材料学院 32 112 5.0 9.0
3 贺琦 北京科技大学材料学院 11 87 5.0 9.0
4 高旭辉 北京科技大学材料学院 6 53 3.0 6.0
5 郭会斌 北京科技大学材料学院 6 65 4.0 6.0
6 石绍渊 北京大学环境资源工程学院 4 83 4.0 4.0
7 唐伟忠 北京科技大学材料学院 106 860 16.0 21.0
8 陈广超 北京科技大学材料学院 27 235 9.0 14.0
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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38029
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