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硼掺杂金刚石薄膜研究
硼掺杂金刚石薄膜研究
作者:
吕反修
唐伟忠
石绍渊
贺琦
郭会斌
陈广超
高旭辉
魏俊俊
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
CVD
金刚石薄膜
掺硼
电位窗
摘要:
硼掺杂是改善金刚石薄膜电阻率的有效手段,被认为是将金刚石薄膜用于制备电化学电极的途径.本文通过CVD法在单晶硅片上制得掺硼金刚石薄膜(BDD),并采用四点探针、扫描电镜、激光拉曼和电化学工作站对之进行检测,发现随着硼掺入量的增加,薄膜电阻率逐渐降低,重掺杂时可达2.0×10-3Ω·cm.同时金刚石薄膜的固有质量出现恶化,表现为金刚石晶粒的碎化以及拉曼观察到的薄膜内应力的增加和非金刚石峰的出现.对薄膜电极进行电化学测量发现BDD电极在酸性溶液中具有非常宽的电位窗口和高的阳极极化电位,且背景电流极低.
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环己酮
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金刚石基底上氮化硼薄膜的场发射特性研究
氮化硼薄膜
场发射特性
磁控溅射
甲烷流量对高掺硼金刚石多晶薄膜形态生长的影响
掺硼金刚石
热丝CVD
扫描电子显微镜
拉曼光谱
内容分析
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内容分析
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相关文献总数
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文献信息
篇名
硼掺杂金刚石薄膜研究
来源期刊
人工晶体学报
学科
工学
关键词
CVD
金刚石薄膜
掺硼
电位窗
年,卷(期)
2007,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
569-572
页数
4页
分类号
TB43
字数
2686字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2007.03.019
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
吕反修
北京科技大学材料学院
151
1208
18.0
24.0
2
魏俊俊
北京科技大学材料学院
32
112
5.0
9.0
3
贺琦
北京科技大学材料学院
11
87
5.0
9.0
4
高旭辉
北京科技大学材料学院
6
53
3.0
6.0
5
郭会斌
北京科技大学材料学院
6
65
4.0
6.0
6
石绍渊
北京大学环境资源工程学院
4
83
4.0
4.0
7
唐伟忠
北京科技大学材料学院
106
860
16.0
21.0
8
陈广超
北京科技大学材料学院
27
235
9.0
14.0
传播情况
被引次数趋势
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(/年)
引文网络
引文网络
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参考文献
(8)
节点文献
引证文献
(29)
同被引文献
(15)
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(44)
1995(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1996(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1997(1)
参考文献(1)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
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参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2007(1)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2007(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
2008(4)
引证文献(4)
二级引证文献(0)
2009(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
2010(4)
引证文献(3)
二级引证文献(1)
2011(3)
引证文献(2)
二级引证文献(1)
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引证文献(1)
二级引证文献(4)
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引证文献(6)
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研究主题发展历程
节点文献
CVD
金刚石薄膜
掺硼
电位窗
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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人工晶体学报2007年第3期
人工晶体学报2007年第2期
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