硫掺杂纳米金刚石薄膜的图形化生长

• 作者: 刘保亭 王永杰 石利忠 葛大勇 赵庆勋
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 复合材料 金刚石薄膜 硫掺杂 化学气相沉积 图形化 光刻
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与试测
• 页码范围: 57-59
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 2314字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.12.018

摘要

利用电子增强热丝化学气相沉积(EACVD)技术,以CH4/H2/H2S/Ar为工作气体,SiO2/Si为衬底,制备了硫掺杂金刚石薄膜.研究了利用光刻技术实现薄膜的图形化生长.结果表明:以SiO2作掩模的光刻技术能够使得硫掺杂金刚石薄膜在光滑SiO2/Si基片上很好地图形化生长.Hall效应检测表明硫掺杂金刚石薄膜为n型,给出了n型金刚石/p-Si异质结的反向I-V特性曲线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘保亭	河北大学物理科学与技术学院	84	302	10.0	13.0
2	赵庆勋	河北大学物理科学与技术学院	54	254	10.0	13.0
3	石利忠	河北大学物理科学与技术学院	1	1	1.0	1.0
4	王永杰	华北电力大学数理学院	19	63	5.0	7.0
5	葛大勇	河北大学物理科学与技术学院	28	119	5.0	10.0