硼掺杂对直流热阴极CVD金刚石薄膜生长特性的影响

• 作者: 冯玉杰 吕江维 彭鸿雁 陈玉强
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石 直流热阴极 化学气相沉积 硼掺杂
• 年，卷（期）: 2009,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 607-611
• 页数: 5页
• 分类号: TB43|TQ164
• 字数: 4078字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2009.00607

摘要

采用直流热阴极CVD法以B(OCH3)3为掺杂剂制备了硼掺杂金刚石薄膜,利用等离子体发射光谱、SEM、Raman和XRD研究了硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响,通过与未掺杂金刚石薄膜的对比发现:在直流热阴极CVD系统中,低浓度硼掺杂条件下能够长时间维持稳定的辉光放电. 掺硼后辉光等离子体活性基团(Hα、Hβ、C2、CH)的种类没有改变,但C2基团的浓度升高,而CH基团的浓度下降,薄膜的生长速率提高到0.65mg·cm-2·h-1. 硼掺杂金刚石薄膜为多晶薄膜,晶体生长良好,取向以(111)晶面为主,质量较未掺杂薄膜有所提高. 硼原子以取代或填隙的方式掺杂进入金刚石晶格,没有破坏金刚石晶体结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯玉杰	哈尔滨工业大学城市水资源与水环境国家重点实验室	112	2348	25.0	45.0
2	彭鸿雁	牡丹江师范学院物理系	29	94	6.0	8.0
3	陈玉强	牡丹江师范学院物理系	27	60	5.0	7.0
4	吕江维	哈尔滨工业大学城市水资源与水环境国家重点实验室	7	108	4.0	7.0