基于天线优化的GaN/AlGaN HEMT太赫兹探测器

• 作者: 孙云飞 孙建东 班建民 田学农 胡伏原 陶重犇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 探测器 太赫兹 高电子迁移率晶体管(HEMT) 自混频 有限时域差分(FDTD)法
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 653-657,683
• 页数: 6页
• 分类号: TL814|TN386.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.10.001

摘要

介绍了一种基于天线优化的GaN/AlGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度室温太赫兹探测器.在太赫兹波辐射下,太赫兹天线可以高效收集太赫兹波的能量进而提高探测器的性能指标.利用有限时域差分(FDTD)法对太赫兹天线的特征尺寸(源、漏极天线之间的间距Lw以及栅极天线的栅长Lg)进行了优化研究.研究结果表明当Lg一定时,探测器的响应度随着Lw的减小而增大,并从实验上制备出了响应度为9.45×102 V/W的室温GaN/AlGaNHEMT太赫兹探测器.对优化后的器件进行了1×9线阵列探测器的制备和测试,探测器的电学特性一致性较好,响应度仅有约10％的误差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	班建民	苏州科技大学电子与信息工程学院	42	262	8.0	15.0
2	胡伏原	苏州科技大学电子与信息工程学院	34	230	7.0	15.0
3	孙云飞	苏州科技大学电子与信息工程学院	19	59	4.0	6.0
4	陶重犇	苏州科技大学电子与信息工程学院	14	53	4.0	6.0
5	田学农	苏州科技大学电子与信息工程学院	3	3	1.0	1.0
6	孙建东	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	4	10	2.0	3.0