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ITO/Si(n)异质结构的侧向光伏效应研究
ITO/Si(n)异质结构的侧向光伏效应研究
作者:
乔双
傅广生
刘亚男
王凌云
王淑芳
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
ITO/Si(n)
侧向光伏效应
灵敏度
薄膜厚度
摘要:
本文报道了由磁控溅射技术在n型单晶Si衬底上制备不同厚度ITO异质结构的侧向光伏效应.通过不同波长和不同功率激光照射下侧向光电压的研究发现,ITO/Si(n)异质结构的位置灵敏度随着激光功率和波长增加而增大,该结果归因于光激发电子-空穴对的数量在相同波长下正比于激光功率,并且在相同功率下正比于激光波长;另外,侧向光伏效应强烈依赖于ITO薄膜的厚度,随着薄膜厚度的增加,侧向光电压和非线性度均呈指数下降,这主要是由于ITO薄膜电阻率减小诱导的表面扩散长度增加所致,我们的研究结果表明,通过合理控制ITO薄膜厚度可以得到灵敏度较高且线性度较好的侧向光电压,有望实现ITO/Si(n)异质结构在位置灵敏探测器领域的潜在应用.
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文献信息
篇名
ITO/Si(n)异质结构的侧向光伏效应研究
来源期刊
中国科学(物理学 力学 天文学)
学科
关键词
ITO/Si(n)
侧向光伏效应
灵敏度
薄膜厚度
年,卷(期)
2017,(12)
所属期刊栏目
论文
研究方向
页码范围
88-94
页数
7页
分类号
字数
语种
中文
DOI
10.1360/SSPMA2016-00479
五维指标
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ITO/Si(n)
侧向光伏效应
灵敏度
薄膜厚度
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
中国科学(物理学 力学 天文学)
主办单位:
中国科学院
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-7275
CN:
11-5848/N
开本:
出版地:
北京东黄城根北街16号
邮发代号:
创刊时间:
语种:
chi
出版文献量(篇)
2745
总下载数(次)
4
总被引数(次)
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