基于Ge插入层优化Al诱导结晶生长多晶Ge薄膜的研究

• 作者: 庄君活 曾亚光 董少光 陈晓涛
• 来源期刊: 嘉应学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: Al诱导结晶 插入层 多晶Ge薄膜 晶向
• 年，卷（期）: 2017,（8）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息
• 页码范围: 31-36
• 页数: 6页
• 分类号: TB303
• 字数: 2555字
• 语种: 中文

摘要

在低温条件下利用Al诱导结晶在绝缘衬底上生长高晶体质量的多晶Ge薄膜.使用厚度为1～10 nm的Ge插入层可以改善多晶Ge薄膜的生长条件,Ge插入层放置在Al层的下方.使用Ge插入层的目的是提高Ge原子在Al层中的超饱和浓度.Ge插入层可以在275℃的低温下产生Al诱导结晶.Ge插入层可以导致较高的成核率,厚度大于3nm的Ge插入层可以产生大量的Ge晶体小颗粒,厚度为1nm的Ge插入层可以促使多晶Ge薄膜快速生长,并产生直径为100 μm的Ge晶体大颗粒.从电子背散射衍射(EBSD)测量中可知,Al诱导结晶生长的多晶Ge薄膜具有良好的(111)晶向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院物理与光电工程学院	24	34	3.0	5.0
2	曾亚光	佛山科学技术学院物理与光电工程学院	33	65	5.0	7.0
3	庄君活	佛山科学技术学院物理与光电工程学院	5	5	2.0	2.0
4	陈晓涛	佛山科学技术学院物理与光电工程学院	1	2	1.0	1.0