利用脉冲激光的片上系统芯片单粒子效应试验

• 作者: 吴振宇 宋睿强 池雅庆 胡春媚 陈书明
• 来源期刊: 国防科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 脉冲激光 单粒子效应 聚焦平面 单粒子翻转 单粒子功能中断
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 信息与通信工程·计算机科学与技术
• 页码范围: 134-139
• 页数: 6页
• 分类号: TL99
• 字数: 3957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11887/j.cn.201702020

摘要

为评估脉冲激光试验对研究SoC(片上系统芯片)单粒子效应的有效性,构建了一个65 nm SoC的脉冲激光试验系统,并进行了试验.提出并采用坐标定位法、有源区聚焦法、ΔZ补偿法等针对大规模倒装焊集成电路的试验方法.对SoC的片上存储器、寄存器文件、RapidIO、DICE触发器等部件进行了脉冲激光试验和分析.结果表明:片上存储器对脉冲激光最为敏感,部件的激光试验与相应的重离子试验现象吻合,利用脉冲激光试验可有效研究纳米工艺下大规模集成电路的单粒子效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈书明	国防科技大学计算机学院	65	467	11.0	18.0
5	池雅庆	国防科技大学计算机学院	8	12	2.0	3.0
6	胡春媚	国防科技大学计算机学院	4	23	2.0	4.0
7	吴振宇	国防科技大学计算机学院	3	15	1.0	3.0
8	宋睿强	国防科技大学计算机学院	2	2	1.0	1.0