N掺杂Cu2O薄膜的低温沉积及快速热退火研究

• 作者: 何永泰 刘瑞明 叶青 程满 自兴发 黄文卿
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化亚铜 N2流量 低温沉积 快速热退火 光电特性
• 年，卷（期）: 2017,（16）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 21-25
• 页数: 5页
• 分类号: TB34
• 字数: 3710字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2017.016.005

摘要

采用氧化亚铜(Cu2O)陶瓷靶,利用射频磁控溅射沉积法在氮气和氩气的混合气氛下制备了N掺杂Cu2O(Cu2O:N)薄膜,并在N2气氛下对薄膜进行了快速热退火处理,研究了N2流量和退火温度对Cu2O:N薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光电性能的影响.结果显示,在衬底温度300 ℃、N2流量12 sccm条件下生长的薄膜为纯相Cu2O薄膜;在N2气氛下对预沉积薄膜进行快速热退火处理不影响薄膜的物相结构,薄膜的结晶质量随退火温度(< 450 ℃)的升高而显著改善;快速热退火处理能改善薄膜的结晶质量和缺陷,降低光生载流子的散射,增强载流子的传输,预沉积Cu2O:N薄膜经400 ℃退火处理后展示出较好的电性能,薄膜的霍尔迁移率(μ)为27.8 cm2·V-1·s-1、电阻率(ρ)为2.47×103 Ω·cm.研究表明低温溅射沉积和快速热退火处理能有效改善Cu2O:N薄膜的光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何永泰		38	163	7.0	11.0
2	刘瑞明	楚雄师范学院物理与电子科学学院新能源应用技术联合研发中心	20	28	3.0	3.0
3	自兴发	楚雄师范学院物理与电子科学学院新能源应用技术联合研发中心	25	67	4.0	7.0
4	黄文卿	楚雄师范学院物理与电子科学学院新能源应用技术联合研发中心	6	27	2.0	5.0
5	叶青	楚雄师范学院物理与电子科学学院新能源应用技术联合研发中心	14	14	2.0	3.0
6	程满	楚雄师范学院物理与电子科学学院新能源应用技术联合研发中心	6	6	2.0	2.0