基于ECC校验码的存储器可扩展自修复算法设计

• 作者: 任秀江 施晶晶 谢向辉
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 学科: 工学
• 关键词: MBSIR MBIST ECC
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 高性能计算
• 页码范围: 252-257
• 页数: 6页
• 分类号: TP393
• 字数: 4665字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2017.02.005

摘要

随着微电子工艺的不断进步,SoC芯片设计中SRAM所占面积越来越大,SRAM的缺陷率成为影响芯片成品率的重要因素.提出了一种可扩展的存储器自修复算法(S-MBISR),在对冗余的SRAM进行修复时,可扩展利用存储器访问通路中校验码的纠错能力,在不改变SRAM结构的前提下能够进一步提高存储器的容错能力,进而提高芯片成品率.最后对该算法进行了RTL设计实现.后端设计评估表明,该算法能够工作在1 GHz频率,面积开销仅增加1.5％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢向辉		44	95	5.0	8.0
2	任秀江		8	10	2.0	3.0
3	施晶晶		7	5	1.0	2.0