石墨烯场效应晶体管参数提取及建模研究

• 作者: 王研 陈荣敏
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 石墨烯场效应晶体管 等效电路 S参数
• 年，卷（期）: 2017,（11）
• 所属期刊栏目: 光电·材料
• 页码范围: 24-26,30
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 2921字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2017.11.007

摘要

现有的传统器件模型已不能完全表征石墨烯场效应晶体管的特性.文中介绍了GFET的器件结构,分析了GFET的工作原理及其基本电特性,提出了基于等效电路思想的小信号模型.模型的参数值来源于晶体管电流-电压和S参数的实测数据,采用测试结构法对模型参数进行提取与分析.并针对栅宽16 μm,栅长150 nm的GFET,将参数初值代入ADS仿真工具中优化仿真,模型S参数与晶体管实测S参数在0.2 ～60 GHz频率范围下对比,表现出良好的一致性,充分验证了模型的可靠性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈荣敏	合肥工业大学光电技术研究院	1	0	0.0	0.0
2	王研	合肥工业大学光电技术研究院	1	0	0.0	0.0