SiC MOSFET短路保护电路研究

• 作者: 李志坚 武晶晶 郑建朋 郭希铮
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属-氧化物半导体场效应晶体管 碳化硅 短路保护
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 宽禁带半导体器件在电力电子技术中的应用专辑
• 页码范围: 51-56
• 页数: 6页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文

摘要

碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在高频、高压、大功率场合的研究和应用越来越多,能够提升变流器的效率和功率密度,而短路保护技术是SiC MOSFET驱动电路的关键,对变流器的安全可靠工作尤为重要.首先分析总结了SiC MOSFET短路保护电路的特点,结果表明基于检测漏源极电压的短路保护方法更易于工程实现.在此基础上,针对两种漏源极电压保护电路方案,研究了其参数设计方法,分析了不同故障条件下的延迟时间,并进行实验验证.仿真与实验结果表明,漏源极电压检测方法能对SiC MOSFET进行有效保护,采用比较器和基准电压的漏源极电压保护电路更易于设计,在应用中可靠性和稳定性较高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭希铮		23	90	5.0	9.0
2	武晶晶		2	5	1.0	2.0
3	李志坚		2	5	1.0	2.0
4	郑建朋		1	0	0.0	0.0