GaN器件高频精确测试及开关特性对比研究

• 作者: 唐清 李艳 赵方玮 郑琼林
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN器件 高频精确测量 开关特性
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 高频、超高频电力电子功率变换技术专辑
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: TP21
• 语种: 中文

摘要

对高频工况下氮化镓(GaN)器件的开关特性精确测量进行了研究,基于市面上两种不同类型的GaN器件,对其开关特性进行对比测试,分析高频工况下不同类型GaN器件的优势.首先,分析不同测量方式对电流测量波形的影响,选择适用于高频工况下的电流测量方式;其次,对高频驱动回路进行优化布局,减小寄生电感,使得开关特性测量结果更为精确;最后,基于双脉冲测试平台,分别对共源共栅(Cascode)型和单体增强(E-Mode)型两类GaN器件进行开关特性测试,明确各自特性优势和应用场合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑琼林		196	3061	32.0	50.0
2	李艳		53	250	9.0	14.0
3	唐清		1	0	0.0	0.0
4	赵方玮		1	0	0.0	0.0