S波段GaN高效率内匹配功率放大器的设计与实现

• 作者: 余若祺 张志国 斛彦生 李静强 银军 黄雒光
• 来源期刊: 通讯世界
• 学科: 工学
• 关键词: GaNHEMT 内匹配 功率合成 高效率
• 年，卷（期）: 2017,（12）
• 所属期刊栏目: 通信设计与应用
• 页码范围: 25-26
• 页数: 2页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 1296字
• 语种: 中文

摘要

本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器.该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯.以负载牵引结果为出发点,运用电子仿真技术对管芯进行了基波匹配,并针对管芯二次谐波阻抗进行了匹配优化,最终用功率分配/合成器进行了四路功率合成.在工作电压36V,占空比20%,脉宽400μs测试条件下,3.0~3.5GHz频段内输出功率大于320W(55dBm),功率增益大于14dB,功率附加效率大于62%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
2	李静强	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	10	1.0	3.0
3	黄雒光	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	13	2.0	3.0
4	余若祺	中国电子科技集团公司第十三研究所	8	15	2.0	3.0
5	斛彦生	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	12	2.0	3.0
6	银军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	27	4.0	5.0