氮化镓材料的研究进展

• 作者: 李倩 牛双蛟
• 来源期刊: 广东化工
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 半导体 制备方法 应用
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 所属期刊栏目: 专论与综述
• 页码范围: 84-86
• 页数: 3页
• 分类号: TN304
• 字数: 5609字
• 语种: 中文

摘要

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在发光二极管、激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景.介绍了GaN基半导体材料的特性、制备方法及在光电子和微电子器件领域的应用,并讨论了今后的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛双蛟	江门市职业病防治所监测评价科	2	3	1.0	1.0
2	李倩		1	2	1.0	1.0