金属掺杂ITO透明导电薄膜的制备及应用

• 作者: 文如莲 梁思炜 王洪 胡晓龙
• 来源期刊: 光学与光电技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 导电薄膜 掺金属 退火 395 nm紫外LED 薄膜性能
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 42-47
• 页数: 6页
• 分类号: O484.41
• 语种: 中文

摘要

研究制备了一种新型金属掺杂ITO透明导电薄膜.通过研究掺杂不同的金属及不同的金属厚度,对比在500℃和600℃退火条件下的透过率和方块电阻变化,并利用这种掺杂的ITO薄膜制备成14 mil×28 mil正装395 nm UV LED芯片.利用电致发光(EL)设备对LED光电性能进行测试以及对比.实验结果表明:掺3 nm金属Al和Ti的ITO薄膜在600℃退火后方块电阻最大降低6.2 Ω/□,透过率在395 nm处最大达91.2％.在120 mA注入电流下,395 nmLED电压降低0.5V,功率提升19.7％.ITO薄膜掺杂金属能够影响薄膜性能,提升紫光LED光电性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王洪	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	61	412	10.0	18.0
3	胡晓龙	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	10	35	3.0	5.0
6	文如莲	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	2	4	1.0	2.0
7	梁思炜	华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心物理与光电学院	2	4	1.0	2.0