石墨烯的等离子体增强化学气相沉积法合成

• 作者: 何叶丽 姚涵 陈育明
• 来源期刊: 印染
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 等离子体 化学气相沉积 低温 光电特性
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 12-17
• 页数: 6页
• 分类号: TS190
• 语种: 中文

摘要

石墨烯具有优异的光电性能,是极具潜力的新一代导电材料.采用传统的热化学气相沉积法制备单层石墨烯需要高温反应条件,试验尝试采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD),在550℃的反应温度下,较短的反应时间内,在铜箔衬底上制备出石墨烯薄膜.考察了甲烷和氢气流量比、氩气的作用以及衬底通电与否等因素对石墨烯生长的影响.研究发现,在甲烷与氢气流量比为1∶1,通入氩气,不给铜箔衬底通电的试验条件下,制备出的石墨烯薄膜电阻值为4.15 kΩ,显示出较好的光电特性.