碳化硅半导体材料应用及发展前景

• 作者: 刘国敬 王家鹏 贺东葛
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 半导体 SiC发展前景
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 1-3
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.1
• 字数: 2567字
• 语种: 中文

摘要

介绍了碳化硅材料的特性及优势,分析了未来碳化硅材料在半导体行业的主导地位及市场前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘国敬	中国电子科技集团公司第四十五研究所	9	14	2.0	3.0
2	贺东葛	中国电子科技集团公司第四十五研究所	3	12	2.0	3.0
3	王家鹏	中国电子科技集团公司第四十五研究所	3	13	2.0	3.0