不同注量率质子辐照对CCD参数退化的影响分析

• 作者: 于新 何承发 冯婕 周东 张兴尧 文林 李豫东 郭旗
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 工学
• 关键词: 质子 电荷耦合器件 辐射效应 注量率 缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 65-68
• 页数: 4页
• 分类号: TP211.6|O472.8
• 字数: 2655字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2018.020602

摘要

对一款CCD进行了3 MeV质子辐照试验和退火试验,获得了2种注量率质子辐照下CCD参数的退化规律,分析了CCD产生缺陷与质子注量率之间的关系.研究表明:不同注量率质子辐照下,CCD中产生的位移损伤缺陷存在差异,但CCD的暗信号和电荷转移效率没有明显改变,且室温退火后,不同质子注量率辐照下,CCD受到的辐射损伤差异更小.研究结果可为揭示地面模拟实验中质子入射CCD产生缺陷的机制、影响因素及建立质子辐射效应损伤模型提供理论与试验方法的支撑.