基于silvaco-TCAD的In0.53Ga0.47As/InP红外探测器的仿真

• 作者: 史娇娜 王坤 肖清泉 袁正兵 谢泉 陆书龙 陈豪 黎业羽
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD探测器 InP倍增层 击穿电压 贯穿电压
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 1-7
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13380/j.ltpl.2019.01.001

摘要

采用silvaco-TCAD研究In0.53Ga0.47As/InP SAGCM-APD光电探测器,对探测器的结构参数对器件的电场分布、击穿电压和贯穿电压的影响进行仿真分析.研究表明电荷层对器件内部电场起到更好的调节作用,但过高的电荷层面密度会导致APD探测器的击穿电压与贯穿电压之差减小.倍增层厚度的增加使击穿电压先减小后增高,贯穿电压线性增加,同时耗尽层宽度变大,使器件电容减小.当倍增区厚度1μm、偏压为-5V时,器件电容密度达到了4.5×10-17F/μm.反向偏置电压为30 V时,APD探测器在1.31μm和1.55 μm波长下的响应度分别达到1 A/W和1.1 A/W.