ESD应力下改进型SCR器件设计与漏电特性优化

• 作者: 刘湖云 梁海莲 王鑫 顾晓峰 马艺珂
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电 可控硅 漏电特性 版图优化 热效应
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 118-122
• 页数: 5页
• 分类号: TN335
• 字数: 2003字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2018.06.020

摘要

为探讨片上集成电路静电放电防护的易闩锁与漏电软失效问题 ,设计了一种内嵌M OS结构的N跨桥可控硅器件 .传输线脉冲测试结果表明:与传统N跨桥改进型可控硅相比 ,该器件的电压回滞幅度减小了约28.6% .然而 ,当作用于该器件的瞬态电流从2 .0 A增大到3 .2 A时 ,漏电流从2 .8×10 -7A逐渐退化至1 .7×10 -5A ,器件较易发生软失效 .借助TCAD技术 ,仿真结果表明:在10-4A的静电脉冲应力作用下 ,该器件内部晶格温度高达1 160 .5 K .通过优化内嵌M OS结构的N跨桥可控硅器件的版图及其金属布线 ,削弱器件内部的功率密度聚集效应 ,可使器件在相同电应力下漏电流稳定在10-9A量级 .因此 ,该版图优化方法可有效地抑制器件的局部过热 ,提高片上集成电路的静电放电防护方案的热稳定性 .

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	顾晓峰	江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心	115	265	9.0	11.0
2	王鑫	江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心	32	207	8.0	13.0
3	梁海莲	江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心	12	44	5.0	6.0
4	刘湖云	江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心	3	0	0.0	0.0
5	马艺珂	江南大学物联网技术应用教育部工程研究中心	2	0	0.0	0.0