一种改进型MLSCR-ESD结构设计分析

• 作者: 刘明峰 徐晟阳
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 静电防护 可控硅技术 MLSCR
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 1805字
• 语种: 中文

摘要

集成电路中半导体器件的特征尺寸不断减小,集成电路对ESD的冲击更加敏感.静电防护成为集成电路中最重要的可靠性指标之一,ESD保护结构也成为芯片设计中的难题.随着集成电路规模的增大,芯片引脚增多,大量面积被用于ESD保护电路,导致成本提高.可控硅结构的ESD保护器件相比其他已知保护结构具有最高的单位面积ESD性能,因此成为低成本片上ESD设计方案的首选.针对改进型横向SCR(MLSCR,又称N+桥式SCR)的ESD保护结构,对其关键特性指标结合理论分析与实验数据进行分析.基于某0.18 μm 5 V CMOS工艺的流片结果,对SCR结构的工作原理以及关键的触发电压、保持电压参数进行说明,并提出改进方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明峰		5	16	2.0	4.0
2	徐晟阳		1	0	0.0	0.0