氧离子注入对氧化钒薄膜电学特性影响的研究

• 作者: 杨碧赞
• 来源期刊: 复旦学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化钒 离子注入 电阻温度系数 激活能
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 223-227
• 页数: 5页
• 分类号: TN4
• 语种: 中文

摘要

采用直流磁控溅射方法在Si3N4/Si衬底上淀积了一层55nm的氧化钒薄膜,随后对氧化钒薄膜分别进行不同剂量的O+ 和Ar+ 注入.O+ 具有非常强的化学活性,能够钝化各种电子材料中的缺陷状态,而Ar+ 作为一种惰性离子,主要是作为一种对比来研究离子轰击对氧化钒的影响.利用四探针测试设备、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、拉曼分析(Raman)、傅里叶红外光谱分析(FTIR)、X射线光电子能谱分析(XPS)以及X射线衍射仪(XRD)等表征方法来分析离子注入前后氧化钒薄膜性质的变化.实验结果表明,低剂量的O+ 或Ar+ 注入都能够使氧化钒的电阻温度系数(TCR)值上升,TCR值分别达到了-2.57％/K或-2.51％/K.而高剂量的O+ 或Ar+注入反倒会使氧化钒的TCR值和方块电阻(Rsq)值急剧下降.分析发现低剂量O+ 注入前后薄膜的表面形貌和价键没有发生明显变化.研究表明低剂量O+ 注入后载流子跳跃导电的激活能上升了,从而导致TCR值上升.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨碧赞	复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室	1	1	1.0	1.0