退火温度对BaSn0.94Sb0.06O3 NTC薄膜的影响

• 作者: 刘心宇 刘笑 李胜 袁昌来
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 薄膜 热敏电阻 电学性能
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 页码范围: 807-810
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2100字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2018.05.036

摘要

采用射频磁控溅射技术成功制备了BaSn0.94 Sb0.06 O3薄膜,并研究了退火温度对薄膜微观结构及电学性能的影响.薄膜晶体结构呈现(110)晶面取向.在850℃退火中,BaSn0.94 Sb0.06 O3薄膜的表面粗糙度为0.8nm.该薄膜放在电阻炉(730～850℃)中退火,随着退火温度的升高,薄膜电阻率从426.74Ω·cm急剧下降到31.28Ω·cm.在790～850℃退火时,薄膜呈线性负温度系数(LNTC)热敏电阻.对薄膜进行复阻抗图谱研究.结果表明,随着薄膜退火温度的升高,薄膜晶粒与晶界表现出良好的LNTC热敏性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘心宇	桂林电子科技大学信息与通信学院	224	1450	18.0	23.0
10	袁昌来	桂林电子科技大学广西省信息材料重点实验室	64	176	7.0	10.0
11	李胜	桂林电子科技大学信息与通信学院	1	0	0.0	0.0
12	刘笑	中南大学粉末冶金学院	2	0	0.0	0.0