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CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究
CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究
作者:
匡雅
徐守龙
邹树梁
郭赞
黄有骏
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
互补金属氧化物半导体
电荷耦合元件
像素传感器
光子电离辐射
辐射响应特性
摘要:
为了研究CCD与CMOS像素传感器对γ射线电离辐射的响应差异,对比研究了4类像素传感器的结构特点和辐射响应特性.通过辐射实验,对各传感器在不同辐射水平条件下的光子响应事件分布、平均灰度值以及典型光子响应事件进行研究.研究结果表明:光子响应程度均与辐射剂量率相关;CCD像素传感器的沟道传输方式使每列像元间的辐射响应更容易相互干扰;平均灰度值随剂量率的增大存在明显的梯度,各积分周期内输出信号灰度值围绕均值上下波动,CCD像素传感器输出信号灰度浮动范围较小;CMOS像素传感器各像元对光子的响应更加明显,CCD像素传感器各像元的响应信号易与相邻像元发生串扰;各类像素传感器典型辐射响应事件区域中发生光子响应的像元数量随剂量率的增大而增多,响应事件并非单个光子的行为,而是反映了多个光子在区域内同时沉积能量的过程.本研究为开发像素传感器的γ射线辐射探测技术和应用提供了重要的理论分析和实验数据支撑.
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文献信息
篇名
CCD与CMOS像素传感器γ射线电离辐射响应特性对比研究
来源期刊
发光学报
学科
工学
关键词
互补金属氧化物半导体
电荷耦合元件
像素传感器
光子电离辐射
辐射响应特性
年,卷(期)
2018,(6)
所属期刊栏目
器件制备及器件物理
研究方向
页码范围
815-822
页数
8页
分类号
TN946.1|TN65|TL99
字数
3095字
语种
中文
DOI
10.3788/fgxb20183906.0815
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
邹树梁
南华大学环境与安全工程学院
259
1707
19.0
32.0
2
徐守龙
南华大学环境与安全工程学院
17
35
4.0
5.0
3
黄有骏
6
24
4.0
4.0
4
郭赞
南华大学环境与安全工程学院
5
12
3.0
3.0
5
匡雅
南华大学环境与安全工程学院
10
54
5.0
7.0
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引证文献(1)
二级引证文献(2)
研究主题发展历程
节点文献
互补金属氧化物半导体
电荷耦合元件
像素传感器
光子电离辐射
辐射响应特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
主办单位:
中国物理学会发光分会
中科院长春光机所
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-7032
CN:
22-1116/O4
开本:
大16开
出版地:
长春市东南湖大路16号
邮发代号:
12-312
创刊时间:
1970
语种:
chi
出版文献量(篇)
4336
总下载数(次)
7
总被引数(次)
29396
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