无片外电容LDO的研究与发展

• 作者: 姚若河 王超 邝国华
• 来源期刊: 中国集成电路
• 学科: 工学
• 关键词: 无片外电容LDO 低压差线性稳压器 线性稳压器
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 设计
• 页码范围: 30-38
• 页数: 9页
• 分类号: TN402
• 字数: 4390字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-5289.2018.03.006

摘要

SoC系统集成芯片的发展增加了对于无片外电容LDO的需求,而无片外电容LDO无法利用片外电容固定主极点以及片外电容与ESR电阻产生补偿零点,也无法利用片外电容为其提供负载电流瞬态变化时的充放电电流,稳定性和瞬态特性成为了无片外电容LDO首要解决的问题.文章分析了无片外电容LDO的稳定性和瞬态特性设计难点,回顾了无片外电容LDO关于提高稳定性和快速瞬态响应能力的最新研究成果,并对LDO的发展进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姚若河	华南理工大学电子与信息学院	126	611	11.0	18.0
2	王超	华南理工大学电子与信息学院	20	200	6.0	14.0
3	邝国华		2	3	1.0	1.0