S波段GaN MMIC Doherty功率放大器

• 作者: 任健 要志宏
• 来源期刊: 太赫兹科学与电子信息学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 Doherty功放
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 所属期刊栏目: 微电子、微系统与物理电子学
• 页码范围: 363-367
• 页数: 5页
• 分类号: TN914.42
• 字数: 2476字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11805/TKYDA201802.0363

摘要

采用SiC衬底0.25 μm AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款S波段GaN单片微波集成电路(MMIC)Doherty功率放大器,在回退的工作状态下仍可以保持较高的效率,可用于小型基站.为减小芯片尺寸,采用无源集总元件替代四分之一阻抗变换线;在输入端没有采用功分器加相位补偿线的结构,而是设计了一种集总结构的电桥来提高集成度.脉冲测试表明,在3～3.2 GHz频率范围内,饱和输出功率大于10 W,在回退6 dB处的功率附加效率(PAE)为38％,芯片尺寸为4.0 mm×2.4 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	要志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	16	48	4.0	6.0
2	任健	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	8	2.0	2.0