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发射区及基区工艺对晶体管大电流特性的影响
发射区及基区工艺对晶体管大电流特性的影响
作者:
余庆
原文服务方:
电子质量
晶体管
大电流特性
电流放大系数
摘要:
根据大电流特性影响的理论知识,结合该公司的实际情况,对发射区、基区工艺进行试验分析,结果表明基区浓度、发射区浓度对晶体管的大电流特性影响比较大.
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篇名
发射区及基区工艺对晶体管大电流特性的影响
来源期刊
电子质量
学科
关键词
晶体管
大电流特性
电流放大系数
年,卷(期)
2018,(5)
所属期刊栏目
实验室特写
研究方向
页码范围
50-53
页数
4页
分类号
TN322
字数
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1003-0107.2018.05.015
五维指标
作者信息
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余庆
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晶体管
大电流特性
电流放大系数
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研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
主办单位:
中国电子质量管理协会
工业和信息化部电子第五研究所(中国赛宝实验室)
出版周期:
月刊
ISSN:
1003-0107
CN:
44-1038/TN
开本:
大16开
出版地:
邮发代号:
创刊时间:
1980-01-01
语种:
chi
出版文献量(篇)
7058
总下载数(次)
0
总被引数(次)
15176
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