纳米硅氧多层薄膜低温调控及其发光特性

• 作者: 丛日东 于威 张博惠 李云 路万兵 高东泽
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅氧多层薄膜 微观结构 能带特征 光致发光 量子限制效应
• 年，卷（期）: 2018,（8）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1960-1966
• 页数: 7页
• 分类号: O484.41
• 字数: 3363字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20182608.1960

摘要

为了研究硅量子点薄膜在太阳电池中的应用,本文采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术,低温制备了镶嵌有纳米晶硅(nc-Si)的纳米硅氧多层(nc-SiOx/a-SiOx)薄膜样品.TEM图显示,通过调整nc-SiOx层的厚度,实现了薄膜多层结构的低温调控.利用拉曼散射光谱(Raman)、紫外可见透射光谱以及稳/瞬态光致发光(PL)谱等检测手段对薄膜的微观结构、能带特征以及发光特性进行了分析.光吸收谱分析表明,nc-Si粒子尺寸及其a-SiOx边界层共同影响薄膜的光学带隙.稳/瞬态PL谱分析表明,多层结构发光表现为一个固定于1.19 eV附近的发光峰和一个随nc-SiOx层厚度增加而发生红移的发光峰,其中固定发光峰归因于非晶SiOx网络中缺陷发光,发光衰减寿命约在4.6 μs,峰位可调的发光峰为nc-Si量子限制效应-缺陷态复合发光,对应两个发光衰减过程,其中慢发光衰减寿命随nc-SiOx层厚度增加由9.9μs增加到16.5 μs,快发光衰减过程基本保持不变.低温PL谱的温度依赖特性进一步表明,薄膜样品的发光主要表现为nc-Si的量子限制效应发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于威	河北大学物理科学与技术学院	91	346	9.0	13.0
2	路万兵	河北大学物理科学与技术学院	17	86	6.0	9.0
3	李云	河北大学物理科学与技术学院	3	4	2.0	2.0
4	张博惠	河北大学物理科学与技术学院	1	0	0.0	0.0
5	高东泽	河北大学物理科学与技术学院	2	2	1.0	1.0
6	丛日东	河北大学物理科学与技术学院	7	10	2.0	3.0