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摘要:
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一种含BCH编解码器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计
MLC NANDFLASH控制器
BCH
编解码
伯利坎普-梅西算法
VLSI
基于加权比特翻转的MLC型NAND闪存系统
多级单元
单元间干扰
加权比特翻转译码
NAND Flash存储关键技术
NAND Flash
坏块管理
数据存储
基于ARM的大容量NAND FLASH应用
ARM处理器
片选
大容量存储
NAND闪存
内容分析
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文献信息
篇名 Polar-coded forward error correction for MLC NAND flash memory
来源期刊 中国科学 学科 工学
关键词
年,卷(期) 2018,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 220-235
页数 16页 分类号 TP
字数 语种 中文
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期刊影响力
中国科学
月刊
CN 11-1789/N
出版文献量(篇)
3119
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