电沉积Sn对In2O3薄膜透光和导电性能的影响

• 作者: 宫震 尹航 戴学诚 李瑞武 王艳雪 马柯鑫
• 来源期刊: 辽宁科技大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: In2O3薄膜 Sn/In2O3复合薄膜 电沉积 透光率 电阻率
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 材料与冶金工程
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 2329字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13988/j.ustl.2019.01.001

摘要

室温下利用射频磁控溅射粉末靶制备In2O3薄膜,并在其上电沉积Sn制备Sn/In2O3复合薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射仪、紫外可见分光光度计和霍尔效应仪等手段表征和分析了复合薄膜的微观结构和光电性能.结果表明:电压为2 V时,制备的Sn/In2O3薄膜光电性能最佳,透光率为92.86％,电阻率0.19 mΩ·cm.氧化退火后,3 V电压制备的Sn/In2O3复合薄膜电阻率增大,透光率得到明显改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹航	辽宁科技大学材料与冶金学院	18	13	2.0	3.0
2	戴学诚	宝山钢铁股份有限公司营销中心	3	2	1.0	1.0
3	李瑞武	辽宁科技大学材料与冶金学院	5	2	1.0	1.0
4	宫震	辽宁科技大学材料与冶金学院	4	0	0.0	0.0
5	王艳雪	辽宁科技大学材料与冶金学院	3	0	0.0	0.0
6	马柯鑫		5	2	1.0	1.0