β-Ga2O3单晶腐蚀坑形貌研究

• 作者: 孙科伟 张胜男 徐永宽 杨丹丹 程红娟 练小正 金雷
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 导模法(EFG) β-Ga2O3单晶 位错密度 腐蚀坑形貌 扫描电子显微镜(SEM)
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 435-439
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.06.003

摘要

详细介绍了(100)、(010)和(201)三种不同晶面的β-Ga2O3单晶腐蚀坑形貌状态及不同形貌的演变过程.所用β-Ga2O3单晶样品均为导模法(EFG)制备,且经过研磨、化学机械抛光(CMP),表面质量良好.以质量分数为85％的分析纯H3 PO4溶液为腐蚀液,腐蚀时间为1.5h,腐蚀温度为90℃时,(100)、(010)和(201)晶面腐蚀坑密度分别约为6.9×104 cm-2、2.3×104 cm-2和7.7×104 cm-2.通过光学显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观察,结果表明(100)面腐蚀坑形状为非对称六边形,(010)面腐蚀坑形貌为菱形,(201)面腐蚀坑形貌为倾斜的五边形,并确定了(100)面、(010)面、(201)面的最终腐蚀坑状态,腐蚀坑的不同形状可能与不同晶向β-Ga2 O3表面状态的耐化学腐蚀差异有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	练小正	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0
3	孙科伟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	2	1.0	1.0
4	张胜男	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	5	1.0	1.0
5	杨丹丹	中国电子科技集团公司第四十六研究所	7	10	1.0	3.0