SOI铁电负电容晶体管亚阈值特性研究

• 作者: 李珍 王步冉 翟亚红 谭欣
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 负电容场效应晶体管 低功耗 亚阈值摆幅 铁电材料 负电容效应
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 页码范围: 756-759
• 页数: 4页
• 分类号: TN303|O47
• 字数: 2471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2019.05.031

摘要

随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点.负电容场效应晶体管基于铁电材料的负电容效应可有效地降低器件的亚阈值摆幅,从而降低器件的功耗.该文设计了一种基于绝缘体上硅(SOO)结构的铁电负电容场效应晶体管,利用TCADSentaurus仿真工具对负电容晶体管进行仿真研究,得到了亚阈值摆幅为30.931 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构和参数.最后仿真研究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度对负电容场效应晶体管亚阈值特性的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翟亚红	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	16	54	5.0	7.0
2	谭欣	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
3	王步冉		3	1	1.0	1.0
4	李珍	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	3	0	0.0	0.0