新一代功率半导体β-Ga2O3器件进展与展望

• 作者: 刁华彬 杨凯 罗军 赵超
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: β-Ga2O3 超宽禁带半导体 功率器件 肖特基势垒二极管(SBD) 金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)
• 年，卷（期）: 2019,（11）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 875-887,901
• 页数: 14页
• 分类号: TN313.4|TN386.1|TN304.21
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.11.003

摘要

β-Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下一代高功率器件材料其越来越受到人们的关注.首先,回顾了宽禁带半导体材料β-Ga2O3的基本性质,包括β-Ga2O3的晶体结构和电学性质,简述了基于β-Ga2O3制造的功率器件,主要包括肖特基势垒二极管(SBD)和金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET).总结回顾了β-Ga2O3 SBD和MOSFET近年来的研究进展,比较了不同结构器件的特性,并分析了目前β-Ga2O3功率器件存在的问题.分析表明,β-Ga2O3用于高功率和高压电子器件具有巨大潜力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵超	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	35	208	9.0	13.0
5	罗军	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	51	222	8.0	12.0
9	杨凯	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	24	297	8.0	17.0
13	刁华彬	中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心	2	1	1.0	1.0