射频功率对MgO掺杂镓锌氧化物薄膜性能的影响(英文)

• 作者: 朱雅 陆轴 陈首部 顾锦华
• 来源期刊: 中南民族大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 镓锌氧化物 掺杂 电学性能
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 物理与电子信息科学
• 页码范围: 572-577
• 页数: 6页
• 分类号: O472
• 字数: 386字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12130/znmdzk.20190417

摘要

采用磁控溅射技术制备了MgO掺杂镓锌氧化物薄膜样品,通过X射线衍射(XRD)、电阻率、载流子浓度和Hall迁移率测试分析,研究了射频功率对薄膜样品微观结构和电学特性的影响.实验结果表明,所有样品均为六角纤锌矿结构并具有明显的c轴择优取向生长特点,其微观结构和电学特性与射频功率密切相关.当射频功率为125 W时,所制备薄膜的晶粒尺寸最大为52.1 nm、张应力最小为0.082 GPa、电阻率最低为1.54×10-3Ω·cm、载流子浓度最大为5.26×1020 cm-3、Hall迁移率最高为7.41 cm2·V-1·s-1,具有最优的结晶性质和电学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈首部	中南民族大学电子信息工程学院	30	137	7.0	10.0
2	顾锦华	中南民族大学实验教学与实验室管理中心	33	183	9.0	12.0
3	陆轴	中南民族大学电子信息工程学院	19	78	6.0	8.0
4	朱雅	中南民族大学电子信息工程学院	7	2	1.0	1.0