氧分压对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

• 作者: 刘媛媛 宋淑梅 杨田林 王昆仑 王雪霞 童杨
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频磁控溅射 氧分压 光学带隙 IGZO TFT
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 3108-3112
• 页数: 5页
• 分类号: TN321+.5
• 字数: 2700字
• 语种: 中文

摘要

室温下,利用射频磁控溅射技术在p型<100>硅衬底上,不同氧分压下制备了铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO TFT).结果表明,不同氧分压的IGZO薄膜呈非晶态;随着氧分压的增大其光学带隙先增大后减小;IGZOTFT场效应迁移率先增大后减小,器件由耗尽型转变为增强型.当氧分压为7.47％时,IGZO TFT电学性能最好,场效应迁移率为4.44 cm2/(V·s),亚阈值摆幅的值是2.1 V/decade,电流开关比大于105.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨田林	山东大学空间科学与物理学院	16	117	5.0	10.0
2	宋淑梅	山东大学空间科学与物理学院	15	40	4.0	6.0
3	王昆仑	山东大学空间科学与物理学院	7	7	2.0	2.0
4	刘媛媛	山东大学空间科学与物理学院	7	12	2.0	3.0
5	童杨	山东大学空间科学与物理学院	1	5	1.0	1.0
6	王雪霞	山东大学空间科学与物理学院	2	11	2.0	2.0