基于GaN TMIC集成片上天线技术的太赫兹功率放大器

• 作者: 于伟华 刘嘉山 吕昕 李明迅 王旭东 程功 郭大路
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 单片太赫兹集成电路技术 氮化镓高电子迁移率晶体管 有源集成天线 辐射方向图
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 页码范围: 683-689
• 页数: 7页
• 分类号: O43
• 字数: 482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.06.001

摘要

介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负载牵引技术实现了放大器与天线之间良好的阻抗匹配.在100～110 GHz的频带范围内,功率放大器的平均输出功率为25.2 dBm,平均功率附加效率(PAE)为5.83％.单片太赫兹集成电路具有良好的辐射特性,芯片的10 dB带宽为1.5 GHz,在109 GHz估算的等效各向同性辐射功率(EIRP)为25.5 dBm.