偏压对离子源辅助HiPIMS制备纳米TiN薄膜力学性能和耐蚀性能的影响

• 作者: 孙德恩 贺贞 黄佳木
• 来源期刊: 中国表面工程
• 学科: 工学
• 关键词: HiPIMS 离子源 偏压 韧性 耐蚀性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 表面工程研究
• 页码范围: 63-71
• 页数: 9页
• 分类号: TG174.44
• 语种: 中文
• DOI: 10.11933/j.issn.1007-9289.20180906002

摘要

为提高磁控溅射制备薄膜的致密度,减少结构缺陷,研究薄膜显微结构对硬度、韧性及耐蚀性能的影响,尝试在改变离子源和基材偏压的条件下,采用离子源辅助HiPMIS技术在304不锈钢和P型(100)晶向硅片上制备TiN纳米薄膜.采用扫描电子显微镜、小角X射线衍射仪对薄膜的形貌和晶体结构进行分析;采用纳米压痕仪和维氏硬度计分别测量计算薄膜的硬度和韧性,并通过电化学工作站对薄膜的耐蚀性能进行检测.结果 表明:随着偏压的增加以及离子源的引入,离子的轰击效应增强,薄膜的沉积速率下降,致密度增加.偏压为-200V时,薄膜的硬度达到最大值16.2 GPa,且对应的晶粒尺寸最小,(111)晶面衍射峰的强度最高.离子源的加入使所制备薄膜的硬度略有下降.此外,随着偏压的增加,薄膜的韧性和耐腐蚀性能也有一定提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄佳木	重庆大学材料科学与工程学院	84	690	13.0	20.0
2	孙德恩	重庆大学材料科学与工程学院	11	62	6.0	7.0
6	贺贞	重庆大学材料科学与工程学院	1	2	1.0	1.0