稀土掺杂GaN基稀磁半导体材料的研究进展

• 作者: 刘彩池 李英 梁李敏
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN基稀磁半导体 稀土掺杂 自旋电子器件 铁磁性 磁性机理
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 789-796,805
• 页数: 9页
• 分类号: TN304.7
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.10.004

摘要

GaN基稀磁半导体材料具有高于室温的铁磁性和优异的光电性能,在半导体电子自旋器件领域有广阔的应用前景.系统地介绍了制备方法对稀土Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料铁磁性的影响,讨论了Gd掺杂GaN基稀磁半导体材料中铁磁性的起源,介绍了除Gd以外的稀土离子掺杂GaN基稀磁半导体材料中的铁磁性,以及共掺杂对GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的影响.目前,GaN基稀磁半导体材料的铁磁性仍无法满足半导体电子自旋器件的要求.共掺杂工艺可以有效地解决稀土离子掺杂引入的较大晶格应变,促进自旋电子之间的交互作用,是一种改善GaN基稀磁半导体材料的铁磁性能的有效途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘彩池	河北工业大学材料科学与工程学院	63	305	11.0	14.0
2	李英	河北工业大学材料科学与工程学院	14	49	4.0	6.0
3	梁李敏	河北工业大学材料科学与工程学院	8	15	2.0	3.0