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摘要:
该文基于0.35μm SiGe工艺设计了一款集成压控振荡器(VCO)的小数频率合成器单片.通过使用电容谐振腔技术实现多带VCO,芯片基波频率覆盖范围为2.2~4.4GHz一个倍频程,总覆盖范围为0.1375~4.4GHz.该设计采用二分法自校准选带技术实现锁相环的自动选带,实现芯片低相噪,带内归一化噪声本底可达-219dBc/Hz.频率合成器芯片面积为2.5*2.6mm2.
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文献信息
篇名 锁相环单片多带VCO设计
来源期刊 电子质量 学科 工学
关键词 锁相环 多带VCO 自校准 频率合成器 SiGe
年,卷(期) 2019,(8) 所属期刊栏目 电磁兼容
研究方向 页码范围 86-89
页数 4页 分类号 TN752
字数 1602字 语种 中文
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1 孟志朋 中国电子科技集团公司第十三研究所 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
锁相环
多带VCO
自校准
频率合成器
SiGe
研究起点
研究来源
研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
月刊
1003-0107
44-1038/TN
大16开
广州市五羊新城广兴花园32号一层
46-39
1980
chi
出版文献量(篇)
7058
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32
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15176
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