Nexperia推出高性能高效率氮化镓功率器件(GaN FET)

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 工作温度范围 MOSFET器件 氮化镓 低导通电阻 功率器件 场效应管 开关切换 栅极电压
• 年，卷（期）: bdtxx_2019,（6）
• 页码范围: 12-13
• 页数: 2页
• 分类号: TN3

摘要

分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压(VGS)为+/-20V,工作温度范围为-55至+175°C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on)仅为60mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。