射频器件在片测试结构与去嵌入方法

• 作者: 冯悦怡 刘林林 王全
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 在片测试 射频 去嵌
• 年，卷（期）: 2019,（8）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 46-48
• 页数: 3页
• 分类号: TN407
• 字数: 2284字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2019.08.016

摘要

传统的硅基射频频段器件在片测试结构采用器件加辅助测试的pad结构、连线的组合形式,通过量测待测结构和相应的去嵌结构得到各自s参数,再通过算法将在片测试结构附加在器件的寄生去除,从而得到器件本身的性能参数.研究在高于6 GHz的频段,应用并比较了开路/短路法、多段线法和四端口法去嵌效果,提出开路/短路法仍是有效实用的去嵌方法,并提出应用开路/短路法在高于6 GHz波频段的优化重点在于去嵌结构设计本身.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王全		3	1	1.0	1.0
2	刘林林		2	0	0.0	0.0
3	冯悦怡		2	0	0.0	0.0