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H2O2氧化处理ZnO沟道层对薄膜晶体管性能的影响
H2O2氧化处理ZnO沟道层对薄膜晶体管性能的影响
作者:
张文通
李博
王天宇
金宝昌
高晓红
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
射频磁控溅射
ZnO薄膜
H2O2氧化处理
摘要:
通过射频磁控溅射ZnO薄膜的方法制备了以ZnO为有源层的薄膜晶体管器件.研究了H2O2处理ZnO薄膜的不同位置对TFT器件的影响.采用PL测试表征材料的缺陷密度,用SEM表征了氧化处理前后的ZnO薄膜材料的表面形貌.结果表明利用H2O2处理ZnO薄膜与源漏电极的接触界面会使器件的关态电流降低2个数量级,氧化处理后的ZnO薄膜具有较低的缺陷密度和较好的结晶状态,TFT器件的电流开关比为7.5×105,阈值电压Vth为9V,亚阈值摆幅为2V/decade,场效应迁移率为0.85cm·V-1·s-1.
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文献信息
篇名
H2O2氧化处理ZnO沟道层对薄膜晶体管性能的影响
来源期刊
电脑知识与技术
学科
教育
关键词
射频磁控溅射
ZnO薄膜
H2O2氧化处理
年,卷(期)
2019,(12)
所属期刊栏目
计算机工程应用技术
研究方向
页码范围
250-252
页数
3页
分类号
G642
字数
1373字
语种
中文
DOI
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
高晓红
吉林建筑大学电气与计算机学院
34
266
4.0
16.0
2
李博
吉林建筑大学电气与计算机学院
10
2
1.0
1.0
3
张文通
吉林建筑大学电气与计算机学院
5
0
0.0
0.0
4
王天宇
吉林建筑大学电气与计算机学院
4
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5
金宝昌
吉林建筑大学电气与计算机学院
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研究主题发展历程
节点文献
射频磁控溅射
ZnO薄膜
H2O2氧化处理
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电脑知识与技术
主办单位:
安徽科技情报协会
中国计算机函授学院
出版周期:
旬刊
ISSN:
1009-3044
CN:
34-1205/TP
开本:
大16开
出版地:
安徽省合肥市
邮发代号:
26-188
创刊时间:
1994
语种:
chi
出版文献量(篇)
58241
总下载数(次)
228
总被引数(次)
132128
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