多晶硅纳米线的湿法刻蚀及光学性质研究

• 作者: 刘波
• 来源期刊: 湖北农机化
• 关键词: 湿法刻蚀 多晶硅 硅纳米线 反射率
• 年，卷（期）: 2019,（13）
• 所属期刊栏目: 开发研究
• 页码范围: 86
• 页数: 1页
• 字数: 1405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-1440.2019.13.073

摘要

介绍了采用湿法刻蚀的方法来制备多晶硅纳米线,通过扫描电镜、反射率测试和XRD晶形分析等手段来对制备样品的形貌和光学性质进行表征.通过实验研究HF浓度、AgNO3浓度、H2O2浓度、反应时间对硅纳米线表面形貌和漫反射率的影响,从而得到刻蚀的最佳条件,制备出低反射率而又均匀的多晶硅纳米线材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波		4	2	1.0	1.0