宽禁带半导体氧化镓晶体和器件研究进展

• 作者: 穆文祥 贾志泰 陶绪堂
• 来源期刊: 中国材料进展
• 学科: 物理学
• 关键词: β-Ga2O3 宽禁带半导体 单晶生长 晶体加工 紫外探测器 肖特基二极管
• 年，卷（期）: 2020,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 113-123
• 页数: 11页
• 分类号: O782+.1
• 字数: 6556字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7502/j.issn.1674-3962.201809009

摘要

β-Ga2O3作为新型宽禁带半导体材料,近年来受到了人们的广泛关注.β-Ga2O3禁带宽度可达4.7 eV,相比于第三代半导体SiC和GaN,具有禁带宽度更大、击穿场强更高、Baliga品质因子更大、吸收截止边更短、生长成本更低的优点,有望成为高压、大功率、低损耗功率器件和深紫外光电子器件的优选材料.此外,β-Ga2 O3单晶可以通过熔体法生长,材料制备成本相对较低,有利于大规模应用.重点介绍了β-Ga2 O3单晶的生长及工艺优化,然后对晶体加工、性能表征、光电探测及功率器件应用等方面进行了讨论,并展望了β-Ga2 O3晶体未来的发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陶绪堂	山东大学晶体材料国家重点实验室	37	194	7.0	12.0
2	贾志泰	山东大学晶体材料国家重点实验室	7	22	3.0	4.0
3	穆文祥	山东大学晶体材料国家重点实验室	2	3	1.0	1.0